题目：第一性原理计算在宽禁带半导体中的应用

报告人：郭宇铮教授

时间：2019年3月21日上午8:45

地点：武汉大学雅各楼116会议室

欢迎各位师生踊跃参加！

摘要：

第一性原理计算已经广泛应用于新型半导体器件与材料的开发与预测，主要包括密度泛函理论，非平衡态格林函数方法计算等方法。本讲座将首先介绍第一性原理应用于宽禁带半导体材料与器件的几种方法比如应用杂化泛函来修正带隙，缺陷电荷态的预测等等，进一步讨论宽禁带半导体中重要的能带工程手段，如掺杂，介面工程，高介电常数材料的引入，金属接触的选择等等，尝试为宽禁带半导体器件的设计提供理论模型与指导。 

主讲人介绍：

郭宇铮，博士，教授，博士生导师。获得剑桥大学工程博士学位。致力于在电子材料，电子器件，新型半导体材料，新型能源材料等方面的研究，发表SCI论文60余篇，引用1000余次。