根据《武汉大学关于深化培养机制改革全面提升学位与研究生教育水平的若干意见（武大字[2017]4号）》和《武汉大学关于深化博士研究生培养模式改革的实施意见（武大研字[2017]9号）》文件精神，经我院领导小组综合考虑，我院拟将ICSCRM列入国际学术会议推荐名单。
ICSCRM（The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials）是世界上最重要的基于碳化硅（SiC）和相关材料的电子器件技术会议。该会议每两年在美国、欧洲和日本举行一次。最近的三次会议分别在日本宫崎市(2013)、意大利贾尔迪尼-纳克索斯(2015)和美国华盛顿特区举行(2017)。ICSCRM 2019.18th将于2019年9月29日至10月4日在日本京都举行。会议涵盖的主题包括碳化硅及其相关材料的生长，外延，缺陷表征，量子技术，器件（高功率，高温，射频功率，抗辐射器件）及制造工艺等。此次会议汇集了世界顶尖的科学家，杰出专家，经验丰富的工程师以及来自世界各地的宽禁带半导体各个领域的年轻学生。通过ICSCRM有助于学习、了解国际顶尖宽禁带半导体技术，积极响应《中国制造2025》 “发展自己高端半导体”和《“十三五”国家科技创新规划》“将第三代半导体产业和技术的发展确立为国家重大战略任务”的号召。
现进行公示，如有异议，请于2019年7月26日17时前以书面形式或通过电子邮件向工业科学研究院反映，公示期满未反映则视为无异议。
联系电话：68772638； 邮箱：irisdxing@163.com 联系人：丁老师。
工业科学研究院
2019年7月23日
