题目：150mm碳化硅外延生长技术进展与产业化趋势

报告人：冯淦 博士

时间：2019年8月27日下午15：00

地点：武汉大学雅各楼116会议室

欢迎各位师生踊跃参加！

摘要：

Silicon carbide (SiC) is an attractive material for developing high-power, high-temperature, and high-frequency devices, owing to its superior properties. In SiC, epitaxial growth is essential to produce active layers with designed doping density and thickness. Homoepitaxial growth technology by chemical vapor deposition has shown remarkable progress, with polytype replication and wide-range doping  control achieved by using step-flow growth and controlling the C/Si ratio, respectively. In this talk, fundamental aspects and technological developments for 4H-SiC homoepitaxial growth are described. EpiWorld’s 150mm 4H-SiC epi. products are also briefly introduced.

主讲人简介：

冯淦，男，1975年出生，博士，教授级高级工程师。2003年毕业于中科院半导体所，获材料物理与化学专业博士学位，后就职于德国、日本多家科研机构，一直从事禁带半导体外延生长及其大功率器件的研制。2011年9月回国加入瀚天天成电子科技（厦门）有限公司，推动碳化硅半导体外延晶片的国产化，现为瀚天天成公司总经理。发表SCI收录论文40多篇，申请专利20多项，主持碳化硅外延晶片团体标准二项，多次受邀在国内外学术会议上做特邀报告。

在其主导下，瀚天天成研发团队成功攻克多项碳化硅外延生长关键技术，成功完成600V、1200V碳化硅外延晶片的研制和产业化，产品质量达到世界领先水平。冯淦博士还主持和参与了国家发改委2012年“电子信息产业振兴和技术改造项目”、国家科技部重大科技专项（02专项）“SiC电力电子器件集成制造技术研发与产业化”、国家科技部863项目“基于SiC器件的并网光伏逆变器研制”和“大尺寸SiC材料与器件制造设备与工艺技术研究”、国家科技部重点研发计划“中低压SiC材料、器件及其在电动汽车充电设备中的应用示范”等多项国家级项目。

冯淦博士现担任“厦门市新材料协会”副会长，“中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟”副秘书长、“SEMI中国功率和化合物半导体委员会”委员，同时还被“国际固态器件与材料会议（SSDM）”大会组委会邀请担当2014/2015/2016/2017年功率器件分会委员会委员，被2015年在意大利召开的国际碳化硅年会（ICSCRM2015）组委会邀请担当碳化硅外延生长分会主席，被第19届亚太宽禁带半导体会议（APWS2019）组委会邀请担任程序委员会委员。2018年荣获中国电子学会科学技术（技术发明）三等奖。