国家自然科学基金委现场考察重大仪器研制项目

作者:本站编辑点击:时间:2017-09-18

      新闻网讯(记者陈丽霞)9月18日,国家自然科学基金委员会副主任高瑞平一行来校,对我校牵头的国家重大仪器研制项目(部门推荐)“薄膜生长缺陷跨时空尺度原位/实时监测与调控实验装置”进行现场考察,校长窦贤康、两院院士李德仁,湖北省科技厅副厅长杜耘等出席考察会。

      该项目依托武汉大学,由动力与机械学院院长、工业科学研究院执行院长刘胜教授牵头,合作单位包括中科院半导体所、清华大学天津高端装备研究院、中科院微电子所、华中科技大学和华南理工大学。

      据了解,薄膜生长代表先进制造重要发展方向,是芯片制造的基础。中国缺“芯”,半导体装备及芯片是中国的最大贸易赤字“大户”。其物理化学过程跨越介观到宏观的空间尺度,飞秒到秒的时间尺度,缺陷机理留有许多空白。目前对于薄膜生长过程的测量多限于宏观量,对微观过程进行跨时空尺度测量追踪还有巨大挑战,从而缺乏对缺陷形成微观机制有效分析和反馈调控。

      该项目提出研制薄膜生长过程跨时空尺度原位/实时测量与调控实验装置。建立的实验装置将不仅有助于我国在薄膜生长领域走到世界领先,直接为中国高端装置的提升带来跨越式发展,同时大大促进物理、化学和生物等学科的发展。

      考察会上,窦贤康十分感谢国家自然科学基金委员会对武汉大学的大力支持,希望专家们能对项目多提宝贵意见,以帮助项目圆满达到预期目标。他表示,学校会在人才队伍建设、跨学科研究生培养、实验室场地保障等各方面予以全力支持,以确保该项目顺利实施。

      杜耘感谢国家自然基金委员会对湖北的支持,希望武汉大学依托人才优势、学科优势,保质保量地完成本次项目。

      刘胜代表项目组详细介绍了项目的目标、工作基础及条件、研制计划等。项目组成员还接受了考察专家组的现场提问。

      在听取汇报和现场考察后,考察专家组认为,该项目目标明确、内容合理、指标先进、技术路线可行。系统的研制成功将实现对薄膜生长中缺陷的产生进行跨时空尺度的原位/实时测量,从而反馈调控以得到高品质的薄膜,将有力地促进我国在薄膜科学技术走向世界前列,可望在该领域取得一些原创性的成果。

      国家重大科研仪器研制项目(原国家重大科研仪器设备研制专项项目),旨在面向科学前沿和国家需求,以科学目标为导向,鼓励和培育具有原创性思想的探索性科研仪器研制,着力支持原创性重大科研仪器设备研制,为科学研究提供更新颖的手段和工具,以全面提升我国的原始创新能力。项目于2011年设立,由国家自然科学基金委员会负责组织实施与管理,分为部门推荐项目和自由申请项目2类,部门推荐项目资助平均额度为8000万元,自由申请项目平均资助额度为500万元。