（通讯员：张召富，审核：陈婉兰）5月16日-17日，英国皇家科学院、工程院院士John Robertson教授受邀来武汉大学访问交流。16日下午，我院执行院长刘胜教授带领Robertson院士一行参观了我院“电子制造与封装集成”湖北省重点实验室，中国科学院半导体研究所骆军委研究员、中国科学院微电子研究所黄森研究员、工业科学研究院郭宇铮教授和张召富研究员一同参观并作深入交流。

 刘胜向Robertson院士一行介绍了我院实验室的建设历程、研究领域、科研亮点及产学研合作情况。双方就半导体材料和半导体工艺领域相关技术展开了深入交流与探讨。Robertson院士对实验室建设情况特别是半导体关键装备研发成果予以高度肯定和赞扬。

据悉，Robertson院士此次来武汉大学交流，是受邀做客珞珈讲坛第377讲，为师生带来题为“Metal Silicide/Si interfaces: Contact Resistances and Origin of Fermi Level Depinning”的学术讲座。John Robertson是剑桥大学工程系的电子学教授。他于2015年入选英国皇家科学院院士（FRS），于2020年入选英国皇家工程院院士（FREng）。同时，他是APS Fellow、IEEE Fellow和MRS Fellow，也是《Diamond and Related Materials》等杂志的名誉编辑。他因在半导体上集成高k氧化物方面的理论贡献而于2023年获得IEEE Cledo Brunetti奖。