报告题目：集成多芯片电流测量的大功率碳化硅MOSFET模块研制

报告人：李学宝，华北电力大学副教授、博导，怀柔实验室双聘专家

主持人/联系人：陈志文

时间：2024年12月5日下午14:30

地点：武汉大学雅各楼114会议室

欢迎各位师生踊跃参加！

报告摘要：

高压大功率碳化硅MOSFET模块因其具有耐高压、高频、高温及低损耗的优势，是支撑未来规模化新能源接入及消纳的核心器件，因单个碳化硅芯片通流能力有限，大功率模块需要多芯片并联封装，然而由于碳化硅芯片参数的分散性以及封装驱动和功率回路寄生参数的差异性，导致多芯片并联电流会出现显著不均衡现象，目前尚缺乏模块内并联芯片电流的表征方法。聚焦上述需求，本报告设计了提出了一种集成于模块内部的多芯片并联电流测量PCB线圈设计方法，实现了芯片电流的准确测量，在此基础上开发了高可靠封装互连工艺，研制了一款集成多芯片电流测量线圈的1200V/300A碳化硅MOSFET低感封装模块，为模块并联均流设计以及自主智能模块开发提供了支撑。

报告人简介：

李学宝，华北电力大学副教授、博导，怀柔实验室双聘专家，主持国家自然科学基金项目2项，作为主研人参与国家自然科学基金重点项目2项、国家重点研发计划课题2项。发表学术论文80余篇，其中第一/通信作者发表/录用SCI收录42篇，获省部级一等奖3项、二等奖2项。长期从事电磁场理论及应用的研究工作，坚持以国家重大工程和器件自主研制为需求导向，聚焦柔性直流输电领域国产高压大功率IGBT器件研制的“卡脖子”技术，提出了高压大功率IGBT器件封装绝缘设计与调控方法，构建了规模化芯片并联电流均衡表征和调控方法，掌握了高压大功率电力电子器件封装中电磁场分析及性能提升方法，成果应用于3.3kV/1500A、3.3kV/3000A和4.5kV/3000A硅基IGBT器件以及国际单体容量最大的18kV/125A碳化硅（SiC）IGBT器件自主研制，部分器件实现了国产替代，在工程上得到了应用，推动了国产高压大功率IGBT器件的自主研制的进程。2023年获评“电工理论与新技术领域卓越青年”称号。