题目：深能级瞬态谱DLTS原理及其在宽禁带器件中的应用

报告人：黄森，研究员，中国科学院微电子研究所

主持人/联系人： 张召富 教授

时间：2025年1月14日上午10:00

地点：动力与机械学院报告厅B9316

欢迎各位师生踊跃参加！

报告摘要：

宽禁带半导体GaN具有高开关频率、高耐压、低导通等优异特性，是下一代高效功率芯片的良好选择。与Si-CMOS中的高质量热氧化SiO₂介质不同，GaN缺乏高质量的本征氧化层，导致介质/GaN界面存在高密度的界面态。另一方面，介质本身（如SiN_x和Al₂O₃）也存在高密度的体陷阱和边界陷阱。这些界面态和体陷阱的捕获和缓慢释放将导致GaN基宽禁带功率器件的阈值漂移和电流坍塌，成为制约GaN基功率器件实用化的两大主要因素。本研究将详细阐述深能级瞬态谱（DLTS）表征方法的原理，介绍课题组团队自主研制的DLTS测试平台，并重点介绍基于DLTS方法精确表征GaN器件界面态/体陷阱的物理起源，以及应用课题组开发的抑制界面态/体陷阱的工艺方法在提高GaN基MOS/MIS-HEMTs器件性能方面等工作的研究进展。

报告人简介:

黄森，中国科学院微电子研究所研究员，中科院大学博士生导师，IEEE高级会员，获国家自然基金优秀青年基金、中国科学院青促会优秀会员等人才项目资助。2009年博士毕业于北京大学，长期致力于高性能GaN基功率电子器件和物理研究，迄今在IEEE EDL/TED等电子器件权威期刊以及IEDM、ISPSD等微电子领域国际顶级会议上发表论文120余篇，申请美国专利8项（授权6项），中国专利40余项，部分技术成果已经被企业使用。作为负责人主持承担了科技部重点研发（课题负责人）、国家自然基金重点/面上项目、中科院前沿科学重点研究和中国科学院-裘槎基金会联合实验室资助计划等项目。2022年获得中国电子学会自然科学二等奖和中国仪器仪表学会技术发明二等奖。