讲座通知:集成多芯片电流测量的大功率碳化硅MOSFET模块研制
报告题目:集成多芯片电流测量的大功率碳化硅MOSFET模块研制报告人:李学宝,华北电力大学副教授、博导,怀柔实验室双聘专家主持人/联系人:陈志文时间:2024年12月5日下午14:30地点:武汉大学雅各楼114会议室欢迎各位师生踊跃参加!报告摘要:高压大功率碳化硅MOSFET模块因其具有耐高压、高频、高温及低损耗的优势,是支撑未来规模化新能源接入及消纳的核心器件,因单个碳化硅芯片通流能力有限,大功率模块需要多芯片并联封装,然而由于碳化硅芯片参数的分散性以及封装驱动和功率回路寄生参数的差异性,...